JANSR2N3810U

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vorrätig

50+

$197.05

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Spezifikation

Artikelnummer

JANSR2N3810U
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

RH SMALL-SIGNAL BJT
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS nicht konform
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 100µA
Transistor-Typ

2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

6-SMD
Serie

Military, MIL-PRF-19500/336
RoHS-Status

RoHS non-compliant
Leistung - max

350mW
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, No Lead
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Surface Mount 6-SMD
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

150 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA

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Das Folgende sind "JANSR2N3810U" -Einziper.

JANSR2N3700UB

Beschreibung: RH SMALL-SIGNAL BJT

Hersteller: Microsemi

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