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JANSF2N2222AUA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANSF2N2222AUA
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    NPN TRANSISTOR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANSF2N2222AUA.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    UA
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/255
  • RoHS-Status
    RoHS non-compliant
  • Leistung - max
    650mW
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SMD, No Lead
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 650mW Surface Mount UA
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 150mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    50nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    800mA

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Das Folgende sind "JANSF2N2222AUA" -Einziper.
CIRP03T40A35SV0N

CIRP03T40A35SV0N

Beschreibung: CONN RCPT HSG FMALE 35POS PNL MT

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
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