JAN2N2222AUA

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Spezifikation

Artikelnummer

JAN2N2222AUA
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 50V 0.8A
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JAN2N2222AUA.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

NPN
Serie

Military, MIL-PRF-19500/255
Leistung - max

500mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

4-SMD
Andere Namen

1086-2325
1086-2325-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

800mA

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Das Folgende sind "JAN2N2222AUA" -Einziper.

JAN2N2324A

Beschreibung: DIODE SILICON CTRL TO-5

Hersteller: Microsemi

vorrätig

JAN2N2222AUA

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