Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6623US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
2673682

JAN1N6623US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$17.017
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6623US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 880V 1A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.55V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    880V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19968
    1086-19968-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 880V 1A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 880V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6623

JAN1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6622

JAN1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6626

JAN1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6624

JAN1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6627

JAN1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6625

JAN1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden