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JAN1N6463

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6463
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    12V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    22.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    13.6V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/551
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2270
    1086-2270-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    125A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose
JAN1N6392

JAN1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6465US

JAN1N6465US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6391

JAN1N6391

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6462US

JAN1N6462US

Beschreibung: TVS DIODE 6V 11V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6466US

JAN1N6466US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6462

JAN1N6462

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6465

JAN1N6465

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6467

JAN1N6467

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N645-1

JAN1N645-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6461US

JAN1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6467US

JAN1N6467US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6464

JAN1N6464

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6468

JAN1N6468

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6351

JAN1N6351

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6466

JAN1N6466

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6349

JAN1N6349

Beschreibung: DIODE ZENER 110V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6463US

JAN1N6463US

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6350

JAN1N6350

Beschreibung: DIODE ZENER 120V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6464US

JAN1N6464US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6461

JAN1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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