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JAN1N6170AUS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6170AUS
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    114V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    206.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    142.5V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19786
    1086-19786-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    7.3A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose
JAN1N6172US

JAN1N6172US

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6171A

JAN1N6171A

Beschreibung: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6168A

JAN1N6168A

Beschreibung: TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6170

JAN1N6170

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6172

JAN1N6172

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6170US

JAN1N6170US

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6172AUS

JAN1N6172AUS

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6169US

JAN1N6169US

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6169

JAN1N6169

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6171

JAN1N6171

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6171US

JAN1N6171US

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6172A

JAN1N6172A

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6168

JAN1N6168

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6173

JAN1N6173

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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