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JAN1N6145US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6145US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    11.73V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    9.9V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    78.28A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19612
    1086-19612-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6145US
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    19.11V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No
JAN1N6146A

JAN1N6146A

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6143US

JAN1N6143US

Beschreibung: TVS DIODE 8.4VWM 16.38VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6147A

JAN1N6147A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6145A

JAN1N6145A

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6143A

JAN1N6143A

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 15.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6148A

JAN1N6148A

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6145

JAN1N6145

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6144A

JAN1N6144A

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 16.9V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6147AUS

JAN1N6147AUS

Beschreibung: TVS DIODE 12.2VWM 22.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6148

JAN1N6148

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 26.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6146US

JAN1N6146US

Beschreibung: TVS DIODE 11.4VWM 22.05VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6147US

JAN1N6147US

Beschreibung: TVS DIODE 12.2VWM 23.42VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6143AUS

JAN1N6143AUS

Beschreibung: TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6144AUS

JAN1N6144AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6147

JAN1N6147

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6146AUS

JAN1N6146AUS

Beschreibung: TVS DIODE 11.4VWM 21VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6144

JAN1N6144

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 17.75V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6145AUS

JAN1N6145AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6146

JAN1N6146

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6144US

JAN1N6144US

Beschreibung: TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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