Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6128AUS
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
6025928

JAN1N6128AUS

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$17.447
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6128AUS
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    62.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    112.8V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    77.9V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2212
    1086-2212-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    4.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose
JAN1N6127US

JAN1N6127US

Beschreibung: TVS DIODE 56V 108.26V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6128US

JAN1N6128US

Beschreibung: TVS DIODE 62.2VWM BPKG SMD

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6131

JAN1N6131

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6129US

JAN1N6129US

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6126AUS

JAN1N6126AUS

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6130

JAN1N6130

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6129A

JAN1N6129A

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6126

JAN1N6126

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6130US

JAN1N6130US

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6128A

JAN1N6128A

Beschreibung: TVS DIODE 62.2VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6126A

JAN1N6126A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6129

JAN1N6129

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6129AUS

JAN1N6129AUS

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6126US

JAN1N6126US

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 101.96V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6127

JAN1N6127

Beschreibung: TVS DIODE 56V 108.26V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6128

JAN1N6128

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

Beschreibung: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6127AUS

JAN1N6127AUS

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6127A

JAN1N6127A

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6130A

JAN1N6130A

Beschreibung: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden