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JAN1N5814

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5814
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    20A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-203AA (DO-4)
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    1086-15835
    1086-15835-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    35ns
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N5814
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    950mV @ 20A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5907

JAN1N5907

Beschreibung: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Beschreibung: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5807

JAN1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5822

JAN1N5822

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5811

JAN1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6043A

JAN1N6043A

Beschreibung: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5968

JAN1N5968

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5809

JAN1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5816

JAN1N5816

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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