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JAN1N5615

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5615
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2103
    1086-2103-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N5615
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Diodenkonfiguration
    500nA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.6V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N5612

JAN1N5612

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5619

JAN1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5614

JAN1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5616

JAN1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5556

JAN1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5555

JAN1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5558

JAN1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5620

JAN1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N5611

JAN1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5618

JAN1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N5610

JAN1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5554

JAN1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5617

JAN1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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