Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N3768R
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
4385598

JAN1N3768R

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$65.281
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N3768R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.4V @ 110A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-5
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andere Namen
    1086-16821
    1086-16821-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard, Reverse Polarity
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard, Reverse Polarity 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    35A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
JAN1N3646

JAN1N3646

Beschreibung: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3822CUR-1

JAN1N3822CUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3768

JAN1N3768

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3822AUR-1

JAN1N3822AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3822C-1

JAN1N3822C-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3766

JAN1N3766

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3647

JAN1N3647

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden