DME375A

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Spezifikation

Artikelnummer

DME375A
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DME375A.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

55V
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

55AW
Serie

-
Leistung - max

375W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

55AW
Betriebstemperatur

200°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)

-
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen

6.5dB
Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz
detaillierte Beschreibung

RF Transistor NPN 55V 30A 1.025GHz ~ 1.15GHz 375W Chassis Mount 55AW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

10 @ 300mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max)

30A

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Das Folgende sind "DME375A" -Einziper.

DME2W5P6K-F

Beschreibung: CAP FILM 5.6UF 10% 250VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DME375A

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