APTM50DUM38TG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM50DUM38TG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM50DUM38TG.pdf
2.APTM50DUM38TG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP4
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 45A, 10V
Leistung - max

694W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP4
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 90A 694W Chassis Mount SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

90A

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Das Folgende sind "APTM50DUM38TG" -Einziper.

APTM50HM65FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM50DUM38TG

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