APTM20UM04SAG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM20UM04SAG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 417A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM20UM04SAG.pdf
2.APTM20UM04SAG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SP6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 208.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1560W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 417A (Tc) 1560W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

417A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM20UM04SAG" -Einziper.

APTM50AM35FTG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4

Hersteller: Microsemi

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