APTM08TAM04PG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM08TAM04PG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM08TAM04PG.pdf
2.APTM08TAM04PG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6-P
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 60A, 10V
Leistung - max

138W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V
Typ FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A

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Das Folgende sind "APTM08TAM04PG" -Einziper.

APTM100A13SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM08TAM04PG

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