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APTGT50H60T3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTGT50H60T3G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    176W
  • Verpackung / Gehäuse
    SP3
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    3.15nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    250µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    80A
  • Konfiguration
    Full Bridge Inverter
CDRH12D78/ANP-820MC

CDRH12D78/ANP-820MC

Beschreibung: FIXED IND 82UH 1.6A 124 MOHM SMD

Hersteller: Sumida Corporation
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