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APTGF50DH120T3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTGF50DH120T3G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 50A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    312W
  • Verpackung / Gehäuse
    SP3
  • Betriebstemperatur
    -
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    3.45nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    250µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    70A
  • Konfiguration
    Asymmetrical Bridge
CMF555K1000FKR670

CMF555K1000FKR670

Beschreibung: RES 5.1K OHM 1/2W 1% AXIAL

Hersteller: Dale / Vishay
vorrätig

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