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APTGF25H120T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTGF25H120T1G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 25A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP1
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    208W
  • Verpackung / Gehäuse
    SP1
  • Betriebstemperatur
    -
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    1.65nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 40A 208W Chassis Mount SP1
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    250µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    40A
  • Konfiguration
    Full Bridge Inverter
2N7002CKVL

2N7002CKVL

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
MS27656T13F35SC

MS27656T13F35SC

Beschreibung: CONN RCPT FMALE 22POS GOLD CRIMP

Hersteller: Amphenol Aerospace Operations
vorrätig

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