APTC60DSKM45T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTC60DSKM45T1G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA
Supplier Device-Gehäuse

SP1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 24.5A, 10V
Leistung - max

250W
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

SP1
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Typ FET

2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET-Merkmal

Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

49A

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Das Folgende sind "APTC60DSKM45T1G" -Einziper.

CRCW20105R23FKEFHP

Beschreibung: RES SMD 5.23 OHM 1% 1W 2010

Hersteller: Dale / Vishay

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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