Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT8024LLLG
Online-Anfrage
Deutsch
593706APT8024LLLG-Bild.Microsemi

APT8024LLLG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT8024LLLG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264 [L]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 15.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    565W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4670pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 31A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    31A (Tc)
APT8020LFLLG

APT8020LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8024JLL

APT8024JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT7M120B

APT7M120B

Beschreibung:

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GP60J

APT80GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA60B

APT80GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8020JLL

APT8020JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8075BN

APT8075BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8018JN

APT8018JN

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80M60J

APT80M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80F60J

APT80F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT7M120S

APT7M120S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA90B

APT80GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8024B2LLG

APT8024B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8014JLL

APT8014JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden