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3505091APT8020LFLLG-Bild.Microsemi Corporation

APT8020LFLLG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT8020LFLLG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    5200pF @ 25V
  • Spannung - Durchschlag
    TO-264 [L]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    220 mOhm @ 19A, 10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • RoHS Status
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38A (Tc)
  • Polarisation
    TO-264-3, TO-264AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    APT8020LFLLG
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    195nC @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • FET-Merkmal
    N-Channel
  • Expanded Beschreibung
    N-Channel 800V 38A (Tc) 694W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    800V
  • Kapazitätsverhältnis
    694W (Tc)
MS400-NWL12H

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Hersteller: VCC (Visual Communications Company)
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AS4C8M16MSA-6BIN

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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