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APT50GF120B2RG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT50GF120B2RG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 135A 781W TMAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 50A
  • Testbedingung
    800V, 50A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    25ns/260ns
  • Schaltenergie
    3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    781W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    340nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    150A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    135A
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5020BNFR

APT5020BNFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 134A 543W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5025BN

APT5025BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5020BN

APT5020BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Hersteller: Microsemi
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APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5018BLLG

APT5018BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5022BNG

APT5022BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5024BLLG

APT5024BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50GN60BG

APT50GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 107A 366W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Beschreibung: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5016BLLG

APT5016BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
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