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APT46GA90JD40

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT46GA90JD40
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 900V 87A 284W SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    900V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 47A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    284W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    29 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    4.17nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    350µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    87A
  • Konfiguration
    Single
APT48M80L

APT48M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT4F120K

APT4F120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45M100J

APT45M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47F60J

APT47F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47M60J

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47N60SC3G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi
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APT45GR65B

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Beschreibung: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT48M80B2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Hersteller: Microsemi
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APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT45GP120J

APT45GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
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APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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