Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT30F50S
Online-Anfrage
Deutsch
5719130APT30F50S-Bild.Microsemi

APT30F50S

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
90+
$7.262
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT30F50S
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D3Pak
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    415W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Tc)
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Beschreibung:

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Beschreibung: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30F50B

APT30F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30F60J

APT30F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 463W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 63A 203W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden