Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT22F80S
Online-Anfrage
Deutsch
1497951APT22F80S-Bild.Microsemi

APT22F80S

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
60+
$10.937
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT22F80S
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D3Pak
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    430 mOhm @ 12A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    625W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    22 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4595pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A (Tc)
APT22F100J

APT22F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT23F60S

APT23F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT23F60B

APT23F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT21M100J

APT21M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT24F50S

APT24F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT20SCD120S

APT20SCD120S

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT24M120L

APT24M120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT22F120L

APT22F120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT22F120B2

APT22F120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT20SCD65K

APT20SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT24M80S

APT24M80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT22F80B

APT22F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT24M120B2

APT24M120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT20SCD120B

APT20SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT24F50B

APT24F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT20N60BC3G

APT20N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Beschreibung: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT24M80B

APT24M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT20N60SC3G

APT20N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden