APT20M38BVRG

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Spezifikation

Artikelnummer

APT20M38BVRG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT20M38BVRG.pdf
2.APT20M38BVRG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

370W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6120pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

67A (Tc)

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Das Folgende sind "APT20M38BVRG" -Einziper.

APT20M120JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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