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5694667APT150GN120JDQ4-Bild.Microsemi

APT150GN120JDQ4

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT150GN120JDQ4
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 215A 625W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 150A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    625W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    9.5nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    300µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    215A
  • Konfiguration
    Single
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT14F100B

APT14F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT14M100B

APT14M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT14F100S

APT14F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT14M100S

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT14M120B

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT150GN60J

APT150GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT150GN120J

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT15D100KG

APT15D100KG

Beschreibung:

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT15D100BG

APT15D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

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APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

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