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2N3439U4

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2N3439U4
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    NPN TRANSISTOR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    350V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 4mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    U4
  • Serie
    -
  • RoHS-Status
    RoHS non-compliant
  • Leistung - max
    800mW
  • Verpackung / Gehäuse
    3-SMD, No Lead
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Surface Mount U4
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    40 @ 20mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    2µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    1A
AV1921R112R04

AV1921R112R04

Beschreibung: SWITCH PUSHBUTTON DPST 0.4VA 20V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
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