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1N8182

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N8182
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 170V 294V A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    170V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    294V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    190V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    A, Axial
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    150W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    510mA
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose
1N821A

1N821A

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N821

1N821

Beschreibung: DIODE ZENER DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N8035-GA

1N8035-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N8034-GA

1N8034-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N8149

1N8149

Beschreibung: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N821-1

1N821-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N8031-GA

1N8031-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N822

1N822

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N8032-GA

1N8032-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N8030-GA

1N8030-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N8028-GA

1N8028-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N821AUR

1N821AUR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N8165US

1N8165US

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.6V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N823

1N823

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N821UR-1

1N821UR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N8026-GA

1N8026-GA

Beschreibung: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N8033-GA

1N8033-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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