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1N648-1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N648-1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 400mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    500V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 500V 400mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50nA @ 500V
  • Strom - Richt (Io)
    400mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N6476US

1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N647UR-1

1N647UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6482-E3/97

1N6482-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6481-E3/97

1N6481-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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