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1N6392

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6392
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    820mV @ 120A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    45V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-5
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andere Namen
    1N6392MS
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 45V 54A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2mA @ 45V
  • Strom - Richt (Io)
    54A
  • Kapazität @ Vr, F
    3000pF @ 5V, 1MHz
1N6386HE3_A/C

1N6386HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N645-1

1N645-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6391

1N6391

Beschreibung: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6461US

1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6461

1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6386-E3/54

1N6386-E3/54

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6385HE3_A/D

1N6385HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6386HE3/51

1N6386HE3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N6385HE3/51

1N6385HE3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N6461US

1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N646-1

1N646-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6385HE3_A/C

1N6385HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6392

1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N6386HE3_A/D

1N6386HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6461

1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6386-E3/73

1N6386-E3/73

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N645-1E3

1N645-1E3

Beschreibung: SWITCHING DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N646

1N646

Beschreibung: SILICON SWITCHING DIODES

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6461US/TR

1N6461US/TR

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N645UR-1

1N645UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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