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28118471N5620-Bild.Microsemi

1N5620

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5620
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1N5622

1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N5620US

1N5620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5620C.TR

1N5620C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5620GPHE3/73

1N5620GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5619US

1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5621

1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5621GP-E3/73

1N5621GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5621US

1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5621GPHE3/54

1N5621GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5618US

1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5617US

1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5621GP-E3/54

1N5621GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5619

1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5618

1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5619GP-E3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

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