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20254321N5196-Bild.Microsemi

1N5196

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5196
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    225V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 225V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25nA @ 225V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1N5187US

1N5187US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5195UR

1N5195UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B TR

1N5221B TR

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
1N5221A (DO-35)

1N5221A (DO-35)

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N5194

1N5194

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5190

1N5190

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5194UR

1N5194UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B-T

1N5221B-T

Beschreibung: DIODE ZENER 500MW DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5188

1N5188

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B-T

1N5221B-T

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N5189US

1N5189US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B A0G

1N5221B A0G

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5221B

1N5221B

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N5195

1N5195

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B (DO-35)

1N5221B (DO-35)

Beschreibung: DIODE ZENER 24V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N5188US

1N5188US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5189

1N5189

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B-TAP

1N5221B-TAP

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5196UR

1N5196UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5221B BK

1N5221B BK

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig

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