Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-RF > 10A030
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
2229009

10A030

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    10A030
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    24V
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    55FT
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    13W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    55FT
  • Betriebstemperatur
    200°C (TJ)
  • Rauschzahl (dB Typ @ f)
    -
  • Befestigungsart
    Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    7.8dB ~ 8.5dB
  • Frequenz - Übergang
    2.5GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Transistor NPN 24V 1.5A 2.5GHz 13W Stud Mount 55FT
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    20 @ 200mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    1.5A
10A02-T

10A02-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
10A05-T

10A05-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
10AS016C3U19E2LG

10AS016C3U19E2LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10AS016E3F27E1HG

10AS016E3F27E1HG

Beschreibung: IC SOC FPGA 240 I/O 672FBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10A07-T

10A07-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
10AS016C3U19I2LG

10AS016C3U19I2LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10A06-T

10A06-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
10AS016C4U19I3SG

10AS016C4U19I3SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10A01-T

10A01-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
10AMPS-CSTKIT

10AMPS-CSTKIT

Beschreibung: 10 AMPS CURRENT SENSE TRAN PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
10A009

10A009

Beschreibung: XFRMR LAMINATED THRU HOLE

Hersteller: Tamura
vorrätig
10A015

10A015

Beschreibung: TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
10A060

10A060

Beschreibung: TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
10A04-T

10A04-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
10AS016C3U19E2SG

10AS016C3U19E2SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10AS016C4U19E3SG

10AS016C4U19E3SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10A01-TP

10A01-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
10AS016C4U19E3LG

10AS016C4U19E3LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10AS016C4U19I3LG

10AS016C4U19I3LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
10AS016C3U19I2SG

10AS016C3U19I2SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden