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6782418N2M400FDB311A3CE-Bild.Micron Technology

N2M400FDB311A3CE

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    N2M400FDB311A3CE
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-LBGA (14x18)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LBGA
  • Andere Namen
    557-1618
    N2M400FDB311A3CE-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    32Gb (4G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    MMC
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz 100-LBGA (14x18)
  • Uhrfrequenz
    52MHz
  • Basisteilenummer
    N2M400
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

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N2M400JDB341A3CF

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Hersteller: Micron Technology
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N2M400HDB321A3CF

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N2M400GDB321A3CF TR

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Hersteller: Micron Technology
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N2M400FDB311A3CF TR

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Beschreibung: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

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N2M400GDB321A3CE

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Beschreibung: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F32G08ABEABM73A3WC1P

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Beschreibung: IC FLASH 32G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
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709379L7PFG8

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Beschreibung: IC SRAM 576K PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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