MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC PSRAM 8M PARALLEL 54VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT45W512KW16BEGB-708 WT TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

70ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

54-VFBGA (6x8)
Serie

-
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

54-VFBGA
Andere Namen

557-1422-1
MT45W512KW16BEGB708WTTR
Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

8Mb (512K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

PSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 70ns 54-VFBGA (6x8)
Basisteilenummer

MT45W512KW16
Zugriffszeit

70ns

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Das Folgende sind "MT45W512KW16BEGB-708 WT TR" -Einziper.

MT45W4MW16PCGA-70 IT TR

Beschreibung: IC PSRAM 64M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

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