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MT44K16M36RB-107E:B

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    MT44K16M36RB-107E:B
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Technologie
    DRAM
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    576Mb (16M x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 933MHz 8ns
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    8ns
MT44K16M36RB-093E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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MT44K16M36RB-125F:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 1067MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ

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MT44K32M18RB-093 IT:A

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