MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NAND
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Andere Namen

MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR-ND
MT29F512G08CKCBBH7-6R:BTR
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

512Gb (64G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 166MHz
Uhrfrequenz

166MHz

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR" -Einziper.

MT29F512G08CLCCBG1-6R:C

Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology

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