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M29W400BT90M1T TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    M29W400BT90M1T TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    90ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-SO
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
  • Andere Namen
    M29W400BT90M1T
    M29W400BT90M1T TR-ND
    M29W400BT90M1T-ND
    M29W400BT90M1TTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (512K x 8, 256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Parallel 90ns 44-SO
  • Basisteilenummer
    M29W400
  • Zugriffszeit
    90ns
M29W400DB55ZE6E

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Micron Technology
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M29W400DB70N1

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

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M29W400DB55ZE6F TR

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M29W400BT90N1

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M29W400DB45N6E

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M29W320ET70ZS6E

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 64FBGA

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M29W320ET70ZE6F TR

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

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M29W400DB55N6

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M29W320ET70ZS6F TR

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M29W400BB90N1

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M29W400DB55N6E

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M29W320ET70ZE6E

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M29W400BT55ZA1

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