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2573025EDY4016AABG-DR-F-R TR-Bild.Micron Technology

EDY4016AABG-DR-F-R TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EDY4016AABG-DR-F-R TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR4
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (7.5x13.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Andere Namen
    EDY4016AABG-DR-F-R
    EDY4016AABG-DR-F-R TR-ND
    EDY4016AABG-DR-F-R-ND
    EDY4016AABG-DR-F-RTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (7.5x13.5)
  • Uhrfrequenz
    1.2GHz
MT29F512G08CMCABH7-6R:A

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MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR

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Hersteller: Micron Technology
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EDY4016AABG-DR-F-D

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Hersteller: Micron Technology
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71256SA20YG8

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MT53D4DADT-DC

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EDY4016AABG-JD-F-R TR

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EDY4016AABG-GX-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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EDY4016AABG-GX-F-R TR

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MT47H256M8EB-3:C TR

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EDY4016AABG-JD-F-D

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70V28L20PFGI

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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

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70T651S12BC8

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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