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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

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  • Artikelnummer
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-ND
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-RTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Uhrfrequenz
    533MHz
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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