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EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR

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  • Artikelnummer
    EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    134-VFBGA
  • Andere Namen
    EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR-ND
    EDB1332BDBH-1DAUT-F-RTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (32M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Uhrfrequenz
    533MHz

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EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

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