Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > MMBTA13-TP
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4090354

MMBTA13-TP

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.036
6000+
$0.032
15000+
$0.027
30000+
$0.025
75000+
$0.024
150000+
$0.021
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MMBTA13-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    30V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 100µA, 100mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    225mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    MMBTA13TPMSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    125MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    10000 @ 150mA, 1V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    300mA
  • Basisteilenummer
    MMBTA1*
MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA13_D87Z

MMBTA13_D87Z

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA06WT1G

MMBTA06WT1G

Beschreibung: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA13-7-F

MMBTA13-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
MMBTA14LT1G

MMBTA14LT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA06WT1

MMBTA06WT1

Beschreibung: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA14-7

MMBTA14-7

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
MMBTA13

MMBTA13

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA06Q-7-F

MMBTA06Q-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
MMBTA13-7

MMBTA13-7

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
MMBTA06LT1HTSA1

MMBTA06LT1HTSA1

Beschreibung: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
MMBTA13LT1

MMBTA13LT1

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA14

MMBTA14

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA14-TP

MMBTA14-TP

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MMBTA14-7-F

MMBTA14-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
MMBTA06_D87Z

MMBTA06_D87Z

Beschreibung: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA14LT1

MMBTA14LT1

Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA06_L98Z

MMBTA06_L98Z

Beschreibung: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBTA06LT3G

MMBTA06LT3G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden