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3160311KBP10M-BP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

KBP10M-BP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    KBP10M-BP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3.14A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    KBPR
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, KBPR
  • Andere Namen
    KBP10M-BPMS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBPR
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
KBP153G C2G

KBP153G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 200V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP151G C2

KBP151G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP152G C2

KBP152G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP105G C2

KBP105G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP105G C2G

KBP105G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP106G C2G

KBP106G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP10M-M4/51

KBP10M-M4/51

Beschreibung: RECT BRIDGE 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
KBP153G C2

KBP153G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 200V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP10M-E4/51

KBP10M-E4/51

Beschreibung: DIODE 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
KBP107G C2

KBP107G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP154G C2

KBP154G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP104G C2G

KBP104G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP10M-E4/45

KBP10M-E4/45

Beschreibung: DIODE 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
KBP106G C2

KBP106G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP151G C2G

KBP151G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 50V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP104G C2

KBP104G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP10M

KBP10M

Beschreibung: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
KBP107G C2G

KBP107G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
KBP10G

KBP10G

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
KBP152G C2G

KBP152G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1.5A 100V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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