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1159294ES2B-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

ES2B-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2B-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    975mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (HSMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES2B-TPCT
    ES2BTP
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -50°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AC (HSMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    ES2B
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B-13

ES2B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2BHE3_A/H

ES2BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2BHE3/52T

ES2BHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B-LTP

ES2B-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2BHE3/5BT

ES2BHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B R5G

ES2B R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B

ES2B

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2AHR5G

ES2AHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES2B/1

ES2B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2B-13-F

ES2B-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES2BA-13

ES2BA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
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