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6872926ES1AE-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

ES1AE-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1AE-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    975mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMAE)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES1AE-TPMSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -50°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AC (SMAE)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
ES1AHE3/5AT

ES1AHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1A-13-F

ES1A-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES1A-M3/5AT

ES1A-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1A-TP

ES1A-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
ES1AL MTG

ES1AL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1A-E3/5AT

ES1A-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1A R3G

ES1A R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1A-M3/61T

ES1A-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1AL R3G

ES1AL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1A-E3/61T

ES1A-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1AHE3_A/H

ES1AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1A-13

ES1A-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES1AL MHG

ES1AL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1AL MQG

ES1AL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1AHM2G

ES1AHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1AHE3/61T

ES1AHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1AHE3_A/I

ES1AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES1AL M2G

ES1AL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1A M2G

ES1A M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1A-LTP

ES1A-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig

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