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BAS19-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS19-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    200mA (DC)
  • Spannung - Durchschlag
    SOT-23
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Digi-Reel®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Widerstand @ If, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAS19TPMSDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    50ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    BAS19-TP
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23
  • Diodenkonfiguration
    100nA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.25V @ 200mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
BAS19-E3-08

BAS19-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19LT3G

BAS19LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19,235

BAS19,235

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS19WTR

BAS19WTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT323

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
BAS19W RVG

BAS19W RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS19LT1G

BAS19LT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19WT-TP

BAS19WT-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAS19-E3-18

BAS19-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19W-7-F

BAS19W-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS20

BAS20

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19-7-F

BAS19-7-F

Beschreibung: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19,215

BAS19,215

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia (NEX)
vorrätig
BAS19_S00Z

BAS19_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19LT1

BAS19LT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19-G3-08

BAS19-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-HE3-18

BAS19-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19W-7

BAS19W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19-G3-18

BAS19-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-HE3-08

BAS19-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-7

BAS19-7

Beschreibung: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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