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35274331N4935-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

1N4935-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4935-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GPP FAST 1A DO-41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 40V
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200ns
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
1N4935G R0G

1N4935G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935G-T

1N4935G-T

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4935GHR0G

1N4935GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935GHA0G

1N4935GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935

1N4935

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
1N4935G A0G

1N4935G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935-E3/73

1N4935-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4934GPHE3/73

1N4934GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4935G B0G

1N4935G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935

1N4935

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
1N4935G

1N4935G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4935GHB0G

1N4935GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935G R1G

1N4935G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4935-T

1N4935-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4934GPHE3/54

1N4934GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4934RL

1N4934RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4935-E3/54

1N4935-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4934RLG

1N4934RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4935GHR1G

1N4935GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4934L-T

1N4934L-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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