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1A7-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1A7-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 40V
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R-1 (Axial)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole R-1
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
SFAF502GHC0G

SFAF502GHC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MPG06J-E3/73

MPG06J-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VSSAF3N50-M3/6A

VSSAF3N50-M3/6A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CSICD10-650 TR13

CSICD10-650 TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
BYM10-200-E3/97

BYM10-200-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S3DB M4G

S3DB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
CDBC260SLR-HF

CDBC260SLR-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AB

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
IDB15E60ATMA1

IDB15E60ATMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
S1GL RTG

S1GL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SF38GHA0G

SF38GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4937E-E3/53

1N4937E-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CDBF0230L

CDBF0230L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
JAN1N1206A

JAN1N1206A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RS2A-M3/52T

RS2A-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1A7TA

1A7TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
CMR2U-01 TR13

CMR2U-01 TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
VS-20ETS08STRRPBF

VS-20ETS08STRRPBF

Beschreibung: DIODE INPUT 20A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N3766

VS-1N3766

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GP10N-E3/54

GP10N-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SFT13G A1G

SFT13G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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