LND150N3-G-P003

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Spezifikation

Artikelnummer

LND150N3-G-P003
Hersteller / Marke

Micrel / Microchip Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

LND150N3-G-P003.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1000 Ohm @ 500µA, 0V
Verlustleistung (max)

740mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30mA (Tj)

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Das Folgende sind "LND150N3-G-P003" -Einziper.

STD60NF06T4

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics

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